RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
17.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3313
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link