RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около -38% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3045
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link