RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2339
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5402-073.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link