RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2088
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link