RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
77
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
58
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
9.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2172
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link