RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Kingston 9905599-025.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2472
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link