RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2852
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link