RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3191
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link