RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3191
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link