RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
43
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
11.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2532
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link