RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 71
    Около 54% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.8 left arrow 14.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2% выше полоса пропускания
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 71
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.8 left arrow 14.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 8.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3285 left arrow 1863

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
модули RAM