RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
71
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1863
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link