RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
71
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1863
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link