RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
67
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
67
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1798
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link