RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
74
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
74
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1616
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link