RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2700
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link