RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около 37% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
46
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2717
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link