RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3318
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link