Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 29

Около 3% меньшая задержка

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 12.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 29
Скорость чтения, Гб/сек

12.9 16.2
Скорость записи, Гб/сек

9.0 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2112 3221

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston K000MD44U 4GB

Kingston K000MD44U 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

модули RAM