RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3255
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link