RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3027
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link