RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3039
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link