RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3093
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link