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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.9
15.6
写入速度,GB/s
9.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3093
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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