RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3093
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link