RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
20.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
4046
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link