RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
49
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
49
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2657
2673
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link