RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3756
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link