RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.3
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
3044
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link