Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Note globale
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 30
    Autour de 17% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.5 left arrow 15.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.9 left arrow 11.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 14900
    Autour de 1.43 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.4 left arrow 15.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    11.3 left arrow 12.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2696 left arrow 3044
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons