Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Puntuación global
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 30
    En 17% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.5 left arrow 15.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.9 left arrow 11.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 14900
    En 1.43 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.4 left arrow 15.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.3 left arrow 12.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2696 left arrow 3044
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones