Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 11.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 58

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.9 2,107.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 11.2
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 2266

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

модули RAM