RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
58
Около -115% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3692
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link