RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2502
3430
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link