RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB против Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Средняя оценка
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
69
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
6.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
69
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
11.0
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2534
1542
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link