RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB против Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Средняя оценка
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
69
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
6.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
69
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
11.0
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2534
1542
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link