RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
50
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
50
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.9
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2812
2512
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link