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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
50
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
50
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.9
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2812
2512
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaison des RAM
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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