RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
50
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2812
2512
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link