RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2383
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link