RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
51
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3402
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link