RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3465
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link