RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
71
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3786
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link