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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
71
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.0
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
28
读取速度,GB/s
2,831.6
19.1
写入速度,GB/s
1,322.6
17.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3786
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-009.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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