RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
12.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3199
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link