RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
51
Около -219% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
16
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
22.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3834
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link