RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3292
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link