RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3476
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link