RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3825
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link