RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2711
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link