RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
67
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
67
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1895
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link