RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3402
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link