RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
84
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
84
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1574
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link