RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2196
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link